La technologie de pulvrisation RAMFORCE de Keihin Ramtech change la donne et rvolutionne l’industrie des cellules solaires en provskite

Class dans : L’environnement, Science et technologie, Chasse, pche et plein air
Sujets : Nouveaux produits et services, Salon commercial

YOKOHAMA, Japon, 25 avril 2023 /PRNewswire/ — KEIHINRAMTECHCo. participera la confrence SVC TechCon2023 Washington, D.C.

Dans le cadre de la lutte contre le rchauffement climatique, les sources d’nergie qui ne dpendent pas des combustibles fossiles sont des sujets majeurs. Les attentes l’gard des cellules solaires sont galement leves. Les cellules solaires provskite (PSC), qui ont fait l’objet d’une attention particulire, sont trs demandes sur le march et attirent l’attention en tant que cellules solaires de la prochaine gnration. La provskite est une structure de dispositif compose de couches organiques trs dlicates dans les cellules, et les technologies conventionnelles utilisant des mthodes de pulvrisation sec endommagent le film d’oxyde conducteur transparent (TCO) lorsqu’il est dpos, ce qui entrane une dgradation des couches organiques, empchant ainsi d’obtenir les caractristiques souhaites du dispositif. Il a t difficile d’utiliser le dpt par pulvrisation cathodique pour le TCO.

Avantages de la pulvrisation RAM FORCE

Amlioration des caractristiques de dpt par pulvrisation cathodique pour les cellules solaires provskite

RAM FORCE, qui possde une structure unique avec quatrecibles orientes et un champ magntique, a ralis un dpt faible dommage et, dans le cas du dpt de TCO sur PSC, la dure de vie des porteurs, qui est un indicateur de dommage, a t amliore d’environ 30% par rapport l’quipement de pulvrisation planaire. La proprit de faible endommagement a permis d’obtenir un dpt faible endommagement. En tirant parti des caractristiques de pulvrisation faible dommage, le PSC atteint un facteur de remplissage (FF) de plus de 75%, qui est un facteur de courbe reprsentant les caractristiques de la cellule. Elle a commenc tre utilise pour la recherche et le dveloppement ainsi que dans des lignes pilotes.

Ralisation d’un dpt par pulvrisation basse temprature

RAM FORCE permet un dpt basse temprature moins de 60? (ITO:100nm), et il est donc applicable au dpt par pulvrisation sur des substrats flexibles.

Dveloppement futur de RAM FORCE

RAMTECH se concentre galement sur d’autres applications. Pour la couche de transport de trous (HTL) de la PSC, une couche de NiOx peut tre utilise la place de la couche organique actuellement utilise, telle que Spiro-OMeTAD, pour raliser un dpt par pulvrisation cathodique faible dommage et une faible rsistance. Par ailleurs, en modifiant les conditions du processus de dpt, le NiOx peut galement tre dpos en tant que couche de transport d’lectrons (ETL), ce qui permet d’utiliser le mme matriau pour le dpt de la HTL et de l’ETL, amliorant ainsi les caractristiques et rduisant les cots.

https://www.ramtech.jp/en/service/ramforce/

KEIHINRAMTECHCo., Ltd.

Centre de R&D TetsuyaSaruwatari

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